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J-GLOBAL ID：200902200338947586   整理番号：07A0225919

中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造機能拡充のための外部冷却法対応設備の製作

Development of the External Cooling Device to Increase the Productivity of Neutron-Transmutation-Doped Silicon Semiconductor (NTD-Si)

著者 (10件)： 広瀬彰 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  和田茂 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  笹島文雄 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  楠剛 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  亀山巌 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  亀山巌 (放射線利用振協) ,  会澤良二 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  会澤良二 (放射線利用振協) ,  菊池直之 (日本原子力研究開発機構 東海研究開発セ 原子力科研) ,  菊池直之 (放射線利用振協)
資料名： 日本原子力研究開発機構JAEA-Technology
ページ： 128P  発行年： 2007年01月 
JST資料番号： L2148A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)は高性能の電...

シソーラス用語： *半導体 ,...
準シソーラス用語： Si半導体

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中性子 ,  核変換ドーピング ,  Si ,  設備 ,  製作