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J-GLOBAL ID：200902200435182357   整理番号：06A0516108

半導体量子ワイヤのエピタキシャル成長と光学的性質

Epitaxial growth and optical properties of semiconductor quantum wires

著者 (2件)： WANG Xue-lun (Nanotechnology Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba Central 2 ...) ,  VOLIOTIS Valia (Inst. des Nanosciences de Paris, CNRS, Universites Pierre et Marie Curie, et Denis Diderot, Campus Boucicaut, 140 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 99  号： 12  ページ： 121301-121301-38  発行年： 2006年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文ではエピタキシャル成長法を用いた半導体量子ワイヤ(QW...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体量子ワイヤ ,  エピタキシャル成長 ,  光学的性質