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J-GLOBAL ID：200902200576886340   整理番号：09A0007420

グラフェン・ナノリボン・トンネルトランジスタ

Graphene Nanoribbon Tunnel Transistors

著者 (5件)： ZHANG Qin (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FANG Tian (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  XING Huili (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  SEABAUGH Alan (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  JENA Debdeep (Univ. Notre Dame, IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 12  ページ： 1344-1346  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン・ナノリボン(DNR)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の電気特性を計算により求め,国際半導体技術ロードマップの2007年版に記載されているnMOSFETの2009年の特性と比較した。リボン幅を3~10nmとしたが,これは0.46~0.14eVのエネルギーバンドギャップに相当する。リボン幅5nm,ゲート長20nm,ゲート酸化膜厚1nmのTFETは,0.1Vのゲートスイングでオンからオフになった。このTFETのオン状態電流は800μA/μm,オフ状態電流は26pA/μm,サブ閾値スイングは0.19mV/decであった。上記のnMOSFETと比べて,このTFETの速度は5倍,動的電力は1/20,オフ状態電力損失は1/28万であった。これらの高性能は,狭いバンドギャップと一次元構造による。

シソーラス用語： グラファイト ,  ナノ構造 ,  *トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  一次元 ,  素子構造 ,  バンド構造 ,  グラフェン ,  ナノリボン
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  *トンネルトランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)