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J-GLOBAL ID：200902200623574017   整理番号：08A0307683

通常の電子後方散乱回折による幾何学的に必要な転位量の決定

Resolving the geometrically necessary dislocation content by conventional electron backscattering diffraction

著者 (1件)： PANTLEON W. (Center of Fundamental Res., Metal Structures in Four Dimensions, Materials Res. Dep., Risoe National Lab., The ...)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 58  号： 11  ページ： 994-997  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子後方散乱によって平面上の局所的方位測定から格子曲率テンソルの6つの成分が同定される。それらは転位密度テンソルの5つの成分(かくて,今後報告するよりも2つ多い)及び,さらに2つの他の成分間の1つの相違を決めることを可能にする。この情報により,幾何学的に必要な転位量の改善された低い限界が線形最適化によって得られる。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム ,  冷間圧延 ,  *転位【結晶】 ,  転位密度 ,  結晶格子 ,  格子歪 ,  曲率
準シソーラス用語： *電子後方散乱回折

分類 (1件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子後方散乱回折 ,  幾何学 ,  転位