文献

J-GLOBAL ID：200902200700444490   整理番号：09A0729145

電源電圧0.8Vディープサブミクロン反転モードIn_0.75Ga_0.25As MOSFET

0.8-V Supply Voltage Deep-Submicrometer Inversion-Mode In_0.75Ga_0.25As MOSFET

著者 (8件)： WU Y. Q. (Purdue Univ., IN, USA) ,  WANG W. K. (Lehigh Univ., PA, USA) ,  KOYBASI O. (Purdue Univ., IN, USA) ,  ZAKHAROV D. N. (Purdue Univ., IN, USA) ,  STACH E. A. (Purdue Univ., IN, USA) ,  NAKAHARA S. (Lehigh Univ., PA, USA) ,  HWANG J. C. M. (Lehigh Univ., PA, USA) ,  YE P. D. (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 7  ページ： 700-702  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si CMOSのスケーリングが物理限界に近づくにつれて,ITRSにより要求されるデバイスのスケーリングと性能改善は大きな挑戦に直面している。ゲート絶縁体としてALD高k Al₂O₃を有する標記のMOSFETの実験結果について報告した。100~200nm長のゲートを有するnチャネルMOSFETを作製した。電源電圧0.8Vで,200~130nm長のゲートを有する作製したデバイスは,232~440μA/μmのドレイン電流と538~705μS/μmの相互コンダクタンスを示した。100nmデバイスは801μA/μmのドレイン電流と940μS/μmの相互コンダクタンスを示したが,短チャネル効果によりピンチオフできなかった。オン/オフ電流比,サブスレショルドスイング,ドレイン誘起障壁低減のような重要なスケーリング測定学について述べ,それらの短チャネル効果への関連について論じた。

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  サブミクロン加工 ,  化学蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  相互コンダクタンス ,  短チャネル効果 ,  *素子構造 ,  電流電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電源電圧 ,  ディープサブミクロン ,  反転 ,  MOSFET