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J-GLOBAL ID：200902200783094763   整理番号：09A0442896

(Co/Pt)₃/Cr₂O₃多層薄膜における交換バイアス

Exchange bias in thin-film (Co/Pt)₃/Cr₂O₃ multilayers

著者 (6件)： LIM S.-h. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD 20742, USA) ,  MURAKAMI M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD 20742, USA) ,  LOFLAND S.e. (Dep. of Physics and Astronomy, Rowan Univ., Glassboro, NJ 08028, USA) ,  ZAMBANO A.j. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD 20742, USA) ,  SALAMANCA-RIBA L.g. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD 20742, USA) ,  TAKEUCHI I. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD 20742, USA)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 321  号： 13  ページ： 1955-1958  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,(001)配向Cr₂O₃薄膜上の交換バイアスCo/Pt層((0.3nm/1.5nm)×3)を作製した。この多層膜は,10μm×10μm領域に対して≒0.3 nmの二乗平均粗さを有する非常に滑らかな表面と界面を示した。Cr₂O₃膜は,室温で比較的低い漏洩電流(380MV/mで1.17×10^-2A/cm²)を有する十分な絶縁性を示した。これは,77MV/mの強さの電場を印加することを可能にした。著者らは,面外磁化Co/Pt層の交換バイアスの符号およびヒステリシスループの形状は,Cr₂O₃のNeel温度を通じた磁場冷却過程を調整することによって,微妙に制御できることを見出した。電場および電場冷却が交換バイアスに及ぼす効果についてのはっきりした証拠は,最高77MV/mの電場では検出されなかった。電場冷却による交換バイアス磁場の変化の上限は,250Kで5Oeであった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化クロム ,  *多層膜 ,  *バイアス ,  コバルト ,  白金 ,  *金属薄膜 ,  漏れ電流 ,  *磁化 ,  *磁気ヒステリシス ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折
準シソーラス用語： *交換バイアス ,  面外磁化

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： CO ,  Pt ,  Cr2O3 ,  多層薄膜 ,  交換バイアス