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J-GLOBAL ID：200902200829469414   整理番号：08A1272552

TSV(貫通シリコンビア)と微細多層配線を用いたシリコン・インタポーザ

Silicon Interposer with TSVs (Through Silicon Vias) and Fine Multilayer Wiring

著者 (4件)： SUNOHARA Masahiro (Shinko Electric Ind. Co., LTD., Nagano, JPN) ,  TOKUNAGA Takayuki (Shinko Electric Ind. Co., LTD., Nagano, JPN) ,  KURIHARA Takashi (Shinko Electric Ind. Co., LTD., Nagano, JPN) ,  HIGASHI Mitsutoshi (Shinko Electric Ind. Co., LTD., Nagano, JPN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 58th Vol.2  ページ： 847-852  発行年： 2008年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,TSV技術が次世代パッケージング技術用に開発された。Cu TSVと微細多層Cu配線を用いたシリコン・インタポーザを開発した。Cuを充填したTSVは,熱サイクル試験で劣化しなかった。Cu-TSVとシリコン基板間の絶縁抵抗は,1×10¹²Ω以上であり,熱衝撃試験中この値を保持した。シリコン基板上と微細多層配線を3μm厚で4/4μmの線幅/線間隔で作製することができた。TSV相互接続,微細配線作製,層間誘電膜評価などの基礎技術を用いて,シリコンモジュール,無機-有機混成基板,微小チャンネル構造をもつ基板と基板レスパッケージなど,試作品を作製することができた。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *固体回路部品 ,  *多層配線 ,  *バイアホール ,  熱サイクル ,  銅 ,  熱衝撃試験 ,  *相互接続 ,  層間絶縁 ,  基板 ,  混成集積回路 ,  *高密度実装 ,  バンプ ,  熱膨張係数
準シソーラス用語： インターポーザ ,  TSV

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： TSV ,  多層配線 ,  シリコン ,  インタポーザ