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J-GLOBAL ID：200902201434127006   整理番号：09A0904282

極度非対称X線回折で観測されたMeVイオンのイオン注入によるSi基板中の歪展開

Strain evolution in Si substrate due to implantation of MeV ion observed by extremely asymmetric x-ray diffraction

著者 (4件)： EMOTO T. (Dep. of Physics, Toyota National Coll. of Technol., 2-1, Eisei-cho, Toyota 471-8525, JPN) ,  GHATAK J. (Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND) ,  SATYAM P. V. (Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND) ,  AKIMOTO K. (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Naoyga 464-8603, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 4  ページ： 043516  発行年： 2009年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MeVイオン注入によりSi(111)基板中に誘起された歪を極度非対称X線回折を使い調べ,1×10¹³,5×10¹³,1×10¹⁴/cm²の照射量で1.5MeVのAu²⁺イオンによりイオン注入されたSi基板について非対称113回折のロッキング曲線を測定した。測定した曲線は干渉フリンジを伴うバルクピークと随伴するサブピークから成っている。X線波長に関するバルクピークのサブピークへの位置関係とこれらピークの強度変化は表面近傍の結晶格子が歪まされて;表面近傍の表面に垂直な(111)面の格子間隔がバルクのそれより大きい事を示している。深さ方向に沿った詳細歪プロフィルをDarwinの動的回折理論に基づく曲線フィッティング法を使い上手く推定した。結果としての歪プロファイルの形状比較により,~300nm以内において1×10¹³と5×10¹³/cm²間の照射量で歪展開が急速に発生している事を見いだした。照射量が1×10¹³と5×10¹³/cm²間の臨界値を越えると複合欠陥形成が表面近傍で進展し,欠陥が大きな歪を基板にもたらす事をこれは示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  *イオン注入 ,  *X線回折 ,  歪測定 ,  結晶格子 ,  表面 ,  ロッキングカーブ ,  依存性 ,  照射線量 ,  *複合欠陥 ,  *歪分布 ,  1-10MeV ,  ケイ素 ,  *シリコンウエハ ,  照射線量依存性 ,  計測
準シソーラス用語： *Si基板 ,  照射量依存性

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非対称 ,  X線回折 ,  観測 ,  イオン ,  イオン注入 ,  Si基板 ,  歪 ,  展開