文献

J-GLOBAL ID：200902201503728564   整理番号：09A0723397

NH₃飽和Si(001)-2×1に関する窒素1s NEXAFSおよびXPS分光法 理論予測と300Kでの実験観察

Nitrogen 1s NEXAFS and XPS spectroscopy of NH₃-saturated Si(001)-2×1: Theoretical predictions and experimental observations at 300 K

著者 (11件)： MATHIEU C. (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  BAI Xuxu (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  BOURNEL F. (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  GALLET J.-J. (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  CARNIATO S. (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  ROCHET F. (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  SIROTTI F. (Synchrotron SOLEIL, Gif sur Yvette, FRA) ,  SILLY M. G. (Synchrotron SOLEIL, Gif sur Yvette, FRA) ,  CHAUVET C. (Synchrotron SOLEIL, Gif sur Yvette, FRA) ,  KRIZMANCIC D. (INFM, Trieste, ITA) ,  HENNIES F. (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 79  号： 20  ページ： 205317.1-205317.13  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体表面での吸着に関する研究の一環として,本研究では,NH₃飽和Si(001)-2×1表面について,N 1s NEXAFSおよびXPS測定を行った。また,それに関連した電子構造計算を,一般化勾配近似を用いた密度汎関数法によって行った。その結果に基づいて,N 1s NEXAFSピークは,NH₂吸着体の反結合Kohn-Sham軌道の解析と,遷移エネルギーのΔKohn-Sham計算とによって説明できることを記した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *表面構造 ,  *ケイ素 ,  超格子 ,  XANES ,  X線光電子スペクトル ,  *吸着 ,  *アンモニア ,  低速電子回折 ,  微斜面 ,  シンクロトロン放射 ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  計算機コード ,  Kohn-Sham方程式 ,  Augerスペクトル
準シソーラス用語： B3LYP法 ,  NEXAFS ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (11件)： NH3 ,  飽和 ,  Si ,  窒素 ,  NEXAFS ,  XPS ,  分光法 ,  理論 ,  予測 ,  実験 ,  観察