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J-GLOBAL ID：200902201765744340   整理番号：04A0890540

単一層化学浴析出ZnS(O,OH)を用いた18.5%二セレン化銅インジウムガリウム(CIGS)素子

18.5% Copper Indium Gallium Diselenide (CIGS) Device Using Single-Layer, Chemical-Bath-Deposited ZnS(O,OH)

著者 (3件)： BHATTACHARYA R N (National Renewable Energy Lab. (NREL), CO, USA) ,  CONTRERAS M A (National Renewable Energy Lab. (NREL), CO, USA) ,  TEETER G (National Renewable Energy Lab. (NREL), CO, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 11B  ページ： L1475-L1476  発行年： 2004年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一層化学浴析出(CBD)ZnS(O,OH)を用いて18.5...

シソーラス用語： *銅化合物 ,...
準シソーラス用語： 化学浴析出

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (2件)：

• 1) K. Ramanathan, M. A. Contreras, C. L. Perkins, S. Asher, F. S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward and A. Duda: Prog. in Photovolt, Res. Appl. 11 (2003) 225.
• 2) M. A. Contreras, T. Nakada, M. Hongo, A. O. Pudov and J. R. Sites: to be published in 3^rd World Conf. Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, Japan, May 2003.

タイトルに関連する用語 (6件)： 単一層 ,  化学浴析出 ,  ZnS ,  セレン化銅インジウム ,  ガリウム ,  CIGS