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J-GLOBAL ID：200902201786663668   整理番号：04A0094283

600V AlGaN/GaN電力HEMT:設計,製造および高電圧DC-DCコンバータでの説明

600V AlGaN/GaN Power-HEMT: Design, Fabrication and Demonstration on High Voltage DC-DC Converter

著者 (6件)： SAITO W (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKADA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KURAGUCHI M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TSUDA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OMURA I (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OGURA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003  ページ： 587-590  発行年： 2003年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTやMOSFETなどの600Vクラスのシリコン電力素子...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： シリコン

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  電力HEMT ,  設計 ,  高電圧 ,  DC-DCコンバータ ,  説明