文献

J-GLOBAL ID：200902201819264560   整理番号：05A1031974

水素化けい素類Si₄H_n(n=2-10)の構造と電子親和性

Structures and electron affinities of silicon hydrides Si₄H _n (n=2-10)

著者 (3件)： LI Chunping (School of Chemical Engineering, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot, 010062, CHN) ,  YANG Jucai (School of Chemical Engineering, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot, 010062, CHN) ,  BAI Xue (School of Chemical Engineering, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot, 010062, CHN)
資料名： Journal of Molecular Structure  (Journal of Molecular Structure)
巻： 755  号： 1-3  ページ： 65-74  発行年： 2005年11月30日 
JST資料番号： B0948B  ISSN： 0022-2860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： 水素化けい素 ,  電子親和性