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J-GLOBAL ID：200902202057002810   整理番号：09A0041981

シリコン光電子増倍器の照射損傷研究

Radiation damage studies of silicon photomultipliers

著者 (11件)： BOHN P. (Dep. of Physics, Boston Univ., Boston, MA 02212, USA) ,  CLOUGH A. (Dep. of Physics, Boston Univ., Boston, MA 02212, USA) ,  HAZEN E. (Dep. of Physics, Boston Univ., Boston, MA 02212, USA) ,  HEERING A. (Dep. of Physics, Boston Univ., Boston, MA 02212, USA) ,  ROHLF J. (Dep. of Physics, Boston Univ., Boston, MA 02212, USA) ,  FREEMAN J. (Fermi National Accelerator Lab., Batavia, IL 60510, USA) ,  LOS S. (Fermi National Accelerator Lab., Batavia, IL 60510, USA) ,  CASCIO E. (Francis H. Burr Proton Therapy Center, Massachusetts General Hospital, Boston, MA 02114, USA) ,  KULESHOV S. (Inst. for Theoretical and Experimental Physics, Moscow, RUS) ,  MUSIENKO Y. (Dep. of Physics, Northeastern Univ., Boston, MA 02115, USA) ,  PIEMONTE C. (Fondazione Bruno Kessler, Trento, I-38050, ITA)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 598  号： 3  ページ： 722-736  発行年： 2009年01月21日 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次の3会社の製作したシリコン光電子増倍器(SiPM)の放射線硬度の測定について報告した:イタリアのFondazione Bruno Kessler(1及び6.2mm²),ロシアのPerspective Technology and Apparatusセンター(1及び4.4mm²)及び日本の浜松フォトニクス社(1mm²)。SiPMはMassachusetts総合病院の212MeV陽子ビームを用いて照射し,動作電圧で3×10¹⁰p/cm²までのフルエンスを受けた。漏れ電流は照射中連続的に測定した。陽子の配達は周期的に休止し,SiPMの利得,光子検出効率及び暗計数をモニタし,校正した光パルスに対してスコープトレースを記録した。漏れ電流と暗雑音はフルエンスと共に増加することが分かった。漏れ電流は雑音分布の平均二乗偏差に比例し,暗計数はランダムな個々のピクセル放射化のためであり,一方SiPMは光子検出機能を完全に保持していることが分かった。SiPMは約100日で因子2だけ漏れ電流の減少をもって室温でアニールすることも分かった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光電子増倍管 ,  *Si半導体検出器 ,  *照射損傷 ,  *耐放射線性 ,  光検出器 ,  陽子ビーム ,  100-1000MeV ,  放射線フルエンス ,  漏れ電流 ,  暗電流 ,  雑音解析 ,  電流電圧特性 ,  経時変化 ,  検出効率

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  電子増倍器 ,  照射損傷 ,  研究