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J-GLOBAL ID：200902202195803122   整理番号：07A0739486

低熱抵抗と高信頼性を持つ完全鉛フリーIGBTモジュール構造の検討

Investigations of all lead free IGBT module structure with low thermal resistance and high reliability

著者 (4件)： NISHIMURA Y. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  MOROZUMI A. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  MOCHIZUKI E. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TAKAHASHI Y. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 18th  ページ： 249-252  発行年： 2006年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RoHSの施行により,鉛含有はんだの使用が制限される。このた...

シソーラス用語： はんだ ,...
準シソーラス用語： RoHS ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  接続部品  (NA05050Z) ,  熱伝導  (PA02020Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱抵抗 ,  高信頼性 ,  鉛フリー ,  IGBT ,  モジュール構造