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J-GLOBAL ID：200902202267991000   整理番号：05A0339398

プレアニーリング増強欠陥拡散技術を用いたInGaAs-InGaAs格子整合および歪層量子井戸構造の相互混合

Intermixing of InGaAs-InGaAs Lattice-Matched and Strained Quantum Well Structures Using Pre-annealing Enhanced Defects Diffusion Technique

著者 (3件)： WANG Ruiyu (Phosistor Technol., Inc., CA, USA) ,  SHI Yuan (Phosistor Technol., Inc., CA, USA) ,  OOI Boon Siew (Phosistor Technol., Inc., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 5644  号： Pt.1  ページ： 79-86  発行年： 2005年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光集積回路の作製ではIII-V族半導体ウエハのバンドギャップ...

シソーラス用語： *歪層量子井戸 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  欠陥 ,  拡散 ,  InGaAs ,  格子整合 ,  歪層量子井戸 ,  相互混合