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J-GLOBAL ID：200902202638374262   整理番号：05A0672253

SiC MESFETを用いた二段超広帯域5W電力増幅器

Two-Stage Ultrawide-Band 5-W Power Amplifier Using SiC MESFET
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著者 (2件)：
SAYED Ahmed

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(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)

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BOECK Georg

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(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)

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資料名：
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques について


巻： 53  号： 7  ページ： 2441-2449  発行年： 2005年07月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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10MHz~2.4HGzをカバーする標記増幅器の設計と諸特性...
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増幅回路 
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