文献

J-GLOBAL ID：200902202715429199   整理番号：08A0465515

ルテニウム表面のエピタキシャルグラフェン

Epitaxial graphene on ruthenium

著者 (3件)： SUTTER Peter W. (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  FLEGE Jan-Ingo (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  SUTTER Eli A. (Brookhaven National Lab., New York, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 7  号： 5  ページ： 406-411  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理想的二次元炭素材料であるグラフェンについて,これまでの微視力学的へき開法に代わる単離法として,エピタキシャル成長法を報告した。この方法は,遷移金属中の格子間炭素の温度依存溶解度を利用するものである。高温(1150°C)でRu塊状体にCを吸着後,825°Cまで冷却,溶解度の低下でCを表面に移動させ,Ru(0001)表面に大きなグラフェン分域を制御逐次積層成長した。超高圧SEM観察でレンズ状島(>100μm)の集合体がRu(0001)基板の表面に成長していることを確認した。その場低エネルギー電子顕微鏡法で層間隔を測定し,顕微Raman分光で単層及び二層エピタキシャルグラフェンの生成などを確認した。ナノメートル精度で4個のプローブを位置決めできる市販測定器と超高圧SEMとを用いて層間電気輸送,I-V特性を測定した。測定抵抗値は一次元トンネルモデルで説明できることが分かった。本研究は遷移金属テンプレート表面での大形単結晶グラフェンのエピタキシャル合成への道を開くものであると結論した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *合成 ,  型 ,  *エピタクシー ,  *ルテニウム ,  格子間原子 ,  炭素 ,  溶解度 ,  温度依存性 ,  冷却 ,  物質移動 ,  結晶成長 ,  *積層構造 ,  微細構造 ,  結晶構造 ,  分子構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  その場観察 ,  顕微Raman分光法 ,  *電流電圧特性 ,  電気抵抗 ,  トンネル効果 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *テンプレート合成 ,  *層間電流電圧特性 ,  逐次積層成長

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (2件)： ルテニウム ,  エピタキシャルグラフェン