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J-GLOBAL ID:200902202738580102   整理番号:09A0151589

高性能溶液法OFETのための半導体としてのジチエノ[2,3-d;2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b;4,5-b′]ジチオフェン(DTBDT)

Dithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene (DTBDT) as Semiconductor for High-Performance, Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors
著者 (8件):
資料名:
巻: 21  号:ページ: 213-216  発行年: 2009年01月12日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ジブロモ-ジ(メチルスルフィニル)ベンゼンとアルキルチオフェンのStilleカップリングおよび分子内環化により一連のジアルキル置換ジチエノ[2,3-d;2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b;4,5-b′]ジチオフェン(DTBDT)を合成した。紫外可視吸収スペクトル,サイクリックボルタンメトリー,分子軌道計算から低いHOMOレベルおよび広いバンドギャップをもつ安定なオリゴアセン半導体化合物である。X線回折により結晶構造を決定し,溶液スピンコーティングおよびディップコーティング膜について分子配向を調べた。ケイ素基板/酸化ケイ素/DTBDT/金電極積層構造によりOFETを作製し,電流電圧特性を調べた。ヘキシル置換DTBDTのOFETはキャリア移動度1.7cm2/Vs,オンオフ比107を示した。
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分類 (4件):
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付加反応,脱離反応  ,  チオフェンの縮合誘導体  ,  トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜 
物質索引 (4件):
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タイトルに関連する用語 (3件):
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