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J-GLOBAL ID：200902202867676035   整理番号：08A1272724

リードフレーム埋込み型光電子フェルールを用いた超小型高性能(160Gbps=20GB/s)光半導体モジュール

Extremely-Compact and High-Performance (160Gbps=20GB/s) Optical Semiconductor Module Using Lead Frame Embedded Optoelectronic Ferrule

著者 (6件)： UEMURA Hiroshi (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAMASAKI Hiroshi (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  FURUYAMA Hideto (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  NUMATA Hideo (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKUBO Chiaki (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIBATA Hideki (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 58th Vol.4  ページ： 1936-1940  発行年： 2008年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速電気信号伝送が帯域幅限界に近づく環境で,4.4×4.5×1.0mm³の超小型サイズをもつ新規のリードフレーム埋込み型光電気(OE)フェルールを用いることにより,13.5Gbps/チャンネル×12チャンネル=160Gbps(20GB/s)の超高速光半導体モジュールを世界で初めて開発した。コスト,生産性と電気特性に優れたこのOEフェルールは,リードフレーム埋込み電極を採用することにより,光半導体とOEフェルール間の高信頼度電気接触を実現し,また,複雑な従来型光部品を用いずに,光半導体素子と光ファイバー間の最適な光結合を実現した。このOEフェルールを用いた光半導体モジュールのアセンブリー・プロセス最適化により,殆どチャンネル間変動なしに優れた電気特性と光学特性を得た。完成した光半導体モジュールは,超低ビットエラー率で13.5Gbpsの高速動作を可能にし,アセンブリー・プロセスにより生じる小特性変動を吸収できるロバスト性をもつことを示した。

シソーラス用語： *リードフレーム ,  *固定具 ,  *OEIC ,  *ICパッケージ ,  LSI【IC】 ,  *光通信 ,  信号伝送 ,  帯域制限 ,  誤り率 ,  アイパターン ,  光結合器 ,  光ファイバ ,  光信号 ,  小型
準シソーラス用語： フェルール

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (7件)： リードフレーム ,  埋込み ,  光電子 ,  フェルール ,  高性能 ,  光半導体 ,  モジュール