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J-GLOBAL ID：200902203384950752   整理番号：08A0338912

官能基化アントラジチオフェンを用いた有機電界効果トランジスタ

Functionalized anthradithiophenes for organic field-effect transistors

著者 (7件)： CHEN Ming-Chou (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  KIM Choongik (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  CHEN Sheng-Yu (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHIANG Yen-Ju (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHUNG Ming-Che (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  FACCHETTI Antonio (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  MARKS Tobin J. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 18  号： 9  ページ： 1029-1036  発行年： 2008年03月07日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜を用いた電界効果トランジスタ(OFET)の開発について,アントラジチオフェン誘導体を有機半導体膜に使用する場合を検討した。アントラジチオフェンのジペルフルオロフェニル誘導体(DFPADT)とジメチル誘導体(DMADT)の薄膜を用いたOFETデバイスは,前者が両極性輸送特性を示し(電界効果移動度:6×10^-4(電子),0.05cm²/V・s(正孔)),n型輸送挙動を誘発する。他方,後者は正孔輸送挙動を示す(キャリヤー移動度:約0.1cm²/V・s)。これらの有機薄膜の酸化還元特性(微分パルスボルタンメトリー),OFETデバイス特性,フロンティア軌道特性についても明らかにした。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  特性 ,  キャリア移動度 ,  Hall移動度 ,  酸化還元電位 ,  示差パルスボルタンメトリー ,  フロンティア軌道
準シソーラス用語： *チオフェン誘導体 ,  電界効果移動度 ,  電子移動度 ,  微分パルスボルタンメトリー ,  輸送特性 ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 3,2-(2-メチルビニレンチオ)-7,6-(2-メチルビニレンチオ)アントラセン ,  3,2-[2-(ペンタフルオロフェニル)ビニレンチオ]-7,6-[2-(ペンタフルオロフェニル)ビニレンチオ]アントラセン

タイトルに関連する用語 (2件)： 官能基化 ,  有機電界効果トランジスタ