文献

J-GLOBAL ID：200902203496488180   整理番号：03A0227355

ナノ構造化分離層アプローチを用いたプラスチック基板上の高性能ポリSiTFT

High-Performance Poly-Si TFTs on Plastic Substrates Using a Nano-Structured Separation Layer Approach.

著者 (3件)： LEE Y (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  LI H (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  FONASH S J (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 24  号： 1  ページ： 19-21  発行年： 2003年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルなプラスチック基板上に高性能の多結晶シリコン薄膜...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： フレキシブル回路

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0227355&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ構造 ,  分離層 ,  プラスチック基板 ,  高性能