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J-GLOBAL ID：200902203527063361   整理番号：03A0169472

ガンマ照射したpチャンネル6H-SiC MOSFETの性能 高い総線量

Performance of Gamma Irradiated P-Channel 6H-SiC MOSFETs: High Total Dose.

著者 (3件)： LEE K K (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  OHSHIMA T (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  ITOH H (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 50  号： 1,Pt.2  ページ： 194-200  発行年： 2003年02月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pチャンネル6H-SiC酸化膜半導体電界効果トランジスター(...

シソーラス用語： γ線照射 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャンネル ,  6H-SiC ,  MOSFET ,  総線量