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J-GLOBAL ID:200902203527063361   整理番号:03A0169472

ガンマ照射したpチャンネル6H-SiC MOSFETの性能 高い総線量

Performance of Gamma Irradiated P-Channel 6H-SiC MOSFETs: High Total Dose.
著者 (3件):
資料名:
巻: 50  号: 1,Pt.2  ページ: 194-200  発行年: 2003年02月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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pチャンネル6H-SiC酸化膜半導体電界効果トランジスター(...
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
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