酸化ゲルマニウムを用いた高kゲート誘電層に対するGe(100)の効果的電気不動態化

DELABIE Annelies; BELLENGER Florence; HOUSSA Michel; CONARD Thierry; VAN ELSHOCHT Sven; CAYMAX Matty; HEYNS Marc; MEURIS Marc

文献

J-GLOBAL ID：200902203540293635 整理番号：07A0838837

酸化ゲルマニウムを用いた高kゲート誘電層に対するGe(100)の効果的電気不動態化

Effective electrical passivation of Ge(100) for high-k gate dielectric layers using germanium oxide

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資料名：
巻： 91 号： 8 ページ： 082904-082904-3 発行年： 2007年08月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

著者らは,高kGe 金属-酸化物-半導体素子に対する不動態化...

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金属-絶縁体-半導体構造

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