Si/SiO<sub>2</sub>ナノ構造の電子および光学特性 I  単一Si/SiO<sub>2</sub>量子井戸における電子-正孔集団過程

PAUC N.; CALVO V.; EYMERY J.; FOURNEL F.; MAGNEA N.

文献

J-GLOBAL ID：200902203784134423 整理番号：06A0096051

Si/SiO₂ナノ構造の電子および光学特性 I 単一Si/SiO₂量子井戸における電子-正孔集団過程

Electronic and optical properties of Si/SiO₂ nanostructures. I. Electron-hole collective processes in single Si/SiO₂ quantum wells

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資料名：
巻： 72 号： 20 ページ： 205324.1-205324.13 発行年： 2005年11月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題量子井戸の光ルミネセンスを井戸厚の関数として低温で測定し...

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半導体のルミネセンス , 励起子

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Si/SiO2ナノ構造の電子および光学特性 I 単一Si/SiO2量子井戸における電子-正孔集団過程

Si/SiO₂ナノ構造の電子および光学特性 I 単一Si/SiO₂量子井戸における電子-正孔集団過程