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J-GLOBAL ID：200902203875556967   整理番号：08A0443975

熱泳動力によるシリコンウェハへの微小パーティクル付着挙動(2)

Adhesion behavior on Si-wafer of infinitesimal particle by thermophoresis (2)

著者 (7件)： 松井英章 (東京エレクトロン) ,  山下てるみ (東京エレクトロン) ,  及川純史 (東京エレクトロン) ,  土橋和也 (東京エレクトロン) ,  田村明威 (東京エレクトロン) ,  松崎和愛 (東京エレクトロン) ,  林輝幸 (東京エレクトロン)
資料名： 空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会予稿集  (空気清浄とコンタミネーションコントロール研究に関する技術研究大会予稿集)
巻： 26th  ページ： 10-13  発行年： 2008年 
JST資料番号： Y0789A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスへの微小パーティクル付着防止手法として熱泳動力を利用する手法を提案した。温度制御されたウェハと室温のウェハの上からパーティクルを噴霧し,それぞれのウェハのパーティクル付着率を測定した。小温度差領域では熱泳動効果を理論的に推定できた。大温度差領域では熱対流の影響によって,熱泳動効果は有効ではなかった。ウェハ上部に整流板を設置し乱流強度を抑制すると,熱泳動効果が見られた。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *半導体材料 ,  *熱泳動 ,  *微粒子 ,  付着 ,  性能試験 ,  温度制御 ,  室温 ,  噴霧 ,  ポリスチレン ,  温度勾配 ,  拡散方程式 ,  数学モデル ,  可視化 ,  熱対流 ,  乱流拡散 ,  整流板
準シソーラス用語： シリコンウエハ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  空気浄化  (PC02060X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱泳動力 ,  シリコンウェハ ,  微小 ,  パーティクル ,  挙動