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J-GLOBAL ID：200902204071683660   整理番号：05A0001420

シリコンのイオンビーム誘起非晶質化と再結晶化

Ion-beam-induced amorphization and recrystallization in silicon

著者 (3件)： PELAZ L (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  MARQUES L A (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  BARBOLLA J (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 96  号： 11  ページ： 5947-5976  発行年： 2004年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入によるSiの非晶質化とその固相エピタキシャル成長に...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 固相エピタクシー ,...

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分類 (3件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  イオンビーム ,  誘起 ,  非晶質化 ,  再結晶化