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J-GLOBAL ID：200902204147343155   整理番号：08A0220412

新材料の導入と半導体製造装置 微細Si₃N₄(シリコンナイトライド)パーティクルの洗浄

著者 (2件)： 原徹 ,  木下圭 (SEZ AG)
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 47  号： 3  ページ： 12-17  発行年： 2008年03月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体プロセスにおいて,微細窒化けい素(Si<sub>3<...

シソーラス用語： 半導体プロセス ,...
準シソーラス用語： Si₃N₄ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 新材料 ,  半導体製造装置 ,  微細 ,  Si3N4 ,  シリコンナイトライド ,  パーティクル ,  洗浄