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J-GLOBAL ID：200902204667987110   整理番号：09A0125800

Cu₂ZnSnX₄(X=SおよびSe)光起電吸収材の結晶構造と電子バンド構造:第一原理洞察

Crystal and electronic band structure of Cu₂ZnSnX₄ (X=S and Se) photovoltaic absorbers: First-principles insights

著者 (4件)： CHEN Shiyou (Dep. of Physics and Surface Sci. Lab., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  GONG X. G. (Dep. of Physics and Surface Sci. Lab., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  WALSH Aron (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  WEI Su-huai (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 4  ページ： 041903  発行年： 2009年01月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS₄とCu₂ZnSnSe₄の構造特性および電子特性を,第一原理計算を用いて研究した。著者らは,低エネルギー結晶構造がオクテット則に従って,黄錫亜鉛鉱(KS)構造であることを見出した。しかしながら,また,硫シャク(錫)鉱または部分的無秩序KS構造が,合成試料中にわずかなエネルギーコストによって存在することが分かった。著者らは,(Cu,Zn)カチオン規則化に対するバンド構造の依存性が弱いことを確認し,Cu₂ZnSnSe₄のバンドギャップ幅が,従来の吸収測定で報告された1.5eVではなく,1.0eV程度であることを予測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  銅化合物 ,  亜鉛化合物 ,  スズ化合物 ,  硫化物 ,  セレン化物 ,  光起電力 ,  *結晶構造 ,  電子構造 ,  状態密度 ,  第一原理 ,  擬ポテンシャル法 ,  *バンドギャップ ,  規則化 ,  カチオン ,  PAW法
準シソーラス用語： PW91 ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Se ,  吸収材 ,  結晶構造 ,  電子バンド構造 ,  第一原理 ,  洞察