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J-GLOBAL ID：200902204722691837   整理番号：09A1067227

La_0.225Pr_0.4Ca_0.375MnO₃における可逆的抵抗スイッチング Joule熱支援相転移

Reversible resistance switching in La_0.225Pr_0.4Ca_0.375MnO₃: The Joule-heat-assisted phase transition

著者 (5件)： YAN Z. B. (Nanjing National Lab. of Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and ...) ,  WANG K. F. (Nanjing National Lab. of Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and ...) ,  LI S. Z. (Nanjing National Lab. of Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and ...) ,  LUO S. J. (Nanjing National Lab. of Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and ...) ,  LIU J.-m. (Nanjing National Lab. of Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 14  ページ： 143502  発行年： 2009年10月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オーバーシューティング緩和を伴う,電流パルス対により制御される可逆的抵抗スイッチング(RS)を,バルクLa_0.225Pr_0.4Ca_0.375MnO₃において観測した。可逆的RS効果が,強磁性金属(FMM)相への電荷規則化絶縁体(COI)の電流誘起固有転移の結果ではなく,FMMとCOI相との間のJoule熱支援転移の結果であることを実証した。COIマトリクスにおけるFMM相の局所熱サイクル支援再配列は,電流パルスにより制御可能であった。これは,多状態メモリ応用に関する可能性を開くものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,  *プラセオジム化合物 ,  *カルシウム化合物 ,  *マンガン酸塩 ,  強磁性 ,  *相転移 ,  *可逆性
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  *電流パルス ,  *Joule加熱 ,  メモリ

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗スイッチング ,  Joule熱 ,  支援 ,  相転移