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J-GLOBAL ID:200902204750701783   整理番号:08A0420391

拡大表面積を持つ炭素布上の硼素ドープダイヤモンド膜の形態と電気化学的性質

Morphological and electrochemical properties of boron-doped diamond films on carbon cloths with enhanced surface area
著者 (4件):
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巻: 516  号: 15  ページ: 4934-4939  発行年: 2008年06月02日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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H2SO40.1molL-1電解質中の炭素繊維布上に成長させた硼素ドープダイヤモンド電極(1017-1019Bcm-3)の電気化学的性質を調べた。硼素ドープダイヤモンド/炭素繊維布電極及び炭素繊維布電極のサイクリックボルタモグラムは両電極が約2.0Vの同じ動作電位窓を有することを示した。インピーダンス分光法とクロノポテンシオメトリーから電極容量を決定し,極めて近い値を得た。炭素繊維布上の静電容量値はSi上のダイヤモンド膜のそれの180倍であった。ダイヤモンド/炭素布電極の容量周波数依存性についても論じた。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 

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