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J-GLOBAL ID：200902205020350264   整理番号：03A0400789

複合InAlAsおよびGaAs歪バッファ層による1.3μm InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性のチューニング

Tuning the structural and optical properties of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dots by a combined InAlAs and GaAs strained buffer layer

著者 (2件)： LIU H Y (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  HOPKINSON M (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 21  ページ： 3644-3646  発行年： 2003年05月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題量子ドットに及ぼすバッファ層の影響を調べた。その結果,I...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAlAs ,  GaAs ,  歪 ,  バッファ層 ,  InAs ,  量子ドット ,  光学特性 ,  チューニング