非リソグラフィー的にパターン化したGaAs上に再生長したサイト制御InAs量子ドット

MENEOU K.; CHENG K. Y.; ZHANG Z. H.; TSAI C. L.; XU C. F.; HSIEH K. C.

文献

J-GLOBAL ID：200902205040873123 整理番号：05A0450507

非リソグラフィー的にパターン化したGaAs上に再生長したサイト制御InAs量子ドット

Site-controlled InAs quantum dots regrown on nonlithographically patterned GaAs

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資料名：
巻： 86 号： 15 ページ： 153114.1-153114.3 発行年： 2005年04月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体基板上にモノリシックに形成した量子ドットアレイの作製に...

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半導体の結晶成長 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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