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J-GLOBAL ID：200902205134550387   整理番号：08A0383336

Ru/HfO_x/TiN単極抵抗メモリにおける不安定な陽極界面の電気的証拠

Electrical evidence of unstable anodic interface in Ru/HfO_x/TiN unipolar resistive memory

著者 (9件)： LEE Heng Yuan (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  CHEN Pang Shiu (MingShin Univ. of Sci. and Technol., Hsinchu 304, Taiwan) ,  WU Tai Yuan (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  WANG Ching Chiun (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  TZENG Pei Jer (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  LIN Cha Hsin (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  CHEN Frederick (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  TSAI Ming-jinn (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 310, Taiwan) ,  LIEN Chenhsin (Inst. of Electronics Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 14  ページ： 142911  発行年： 2008年04月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ruを陽極としたRu/HfO_x/TiNデバイスの単極抵抗スイッチング挙動を調べた。スイッチング動作パラメータの広い分散が観測された。このデバイスの低及び高抵抗状態における伝導機構を評価した結果,それぞれオーミック及びトンネリングであった。測定したトンネル電流対電圧特性からRu/HfO_x界面のバンドオフセットを導いた。バンドオフセットの不安定性が観測され,高抵抗状態でのRu/HfO_x/TiNデバイスにおける動作電圧の広い変動に起因すると考えられる。Ru/HfO_x界面でのバンドオフセットの不安定性に対して考え得るメカニズムについても論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 安定性 ,  *不揮発性メモリ ,  絶縁膜 ,  *酸化ハフニウム ,  アノード ,  ルテニウム ,  基板 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  スイッチング ,  電気抵抗 ,  誘電率 ,  温度依存性 ,  周波数依存性 ,  電流電圧特性 ,  Ohm接触 ,  トンネル効果 ,  界面 ,  伝導バンド ,  バンドオフセット ,  不安定性 ,  *MIM構造
準シソーラス用語： 単安定 ,  *抵抗メモリ ,  抵抗スイッチング ,  周波数分散

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ru ,  TiN ,  極 ,  抵抗メモリ ,  陽極 ,  界面 ,  証拠