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J-GLOBAL ID：200902205998467376   整理番号：09A0173808

MOSキャパシタ特性への光照射効果

著者 (1件)： 三宅雅保 (福山大 工)
資料名： 福山大学工学部紀要  (Memoirs of the Faculty of Engineering, Fukuyama University)
巻： 32  ページ： 17-27  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： X0293A  ISSN： 0286-858X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,MOSLSI製作プロセスの評価に重要なMOSキャパシタへの光照射効果を数値計算により明らかにした。ポアソンの方程式,電流の式,電荷連続の式を定常状態の下で数値計算により解くプログラムを作成した。光照射を行なったMOSキャパシタの,ポテンシャルの深さ依存性,電流密度の深さ依存性,キャリア濃度の深さ依存性を明らかにした。また,光照射した状態での低周波容量,高周波容量の計算プログラムを作成し,MOSキャパシタのC-V特性への光照射効果の影響を定量的に明らかにした。

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  電気特性 ,  *光照射 ,  数値計算 ,  ポテンシャル ,  電流密度 ,  キャリア密度 ,  依存性 ,  計算機プログラム ,  容量
準シソーラス用語： *MOSキャパシタ ,  キャリア濃度 ,  計算プログラム

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOSキャパシタ ,  照射効果