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J-GLOBAL ID：200902206124289148   整理番号：09A0151588

高性能高分子FETにおよぼす形状の影響

The Influence of Morphology on High-Performance Polymer Field-Effect Transistors

著者 (7件)： TSAO Hoi Nok (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  CHO Don (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  ANDREASEN Jens Wenzel (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK) ,  ROUHANIPOUR Ali (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  BREIBY Dag W. (Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR) ,  PISULA Wojciech (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  MUELLEN Klaus (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 21  号： 2  ページ： 209-212  発行年： 2009年01月12日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素/SiO₂基板表面をフェニルトリエトキシシラン処理後,ジオクタデシルシクロペンタジチオフェン-ベンゾチアジアゾール交互共重合体膜を被覆し,金蒸着によりソース,ドレイン電極を積層してOFETを作製した。原子間力顕微鏡,広角および小角X線散乱によりキャラクタリゼーションを行った。電流電圧特性を調べた。高分子量の膜が秩序性に優れ,デイップコーティングにより配向性が改善されることを確かめた。キャリア移動度は1.4cm²/Vsで高分子トランジスタとして最高レベルの性能を示した。経時変化を調べた。

シソーラス用語： *高分子膜 ,  ウエハ【IC】 ,  酸化ケイ素 ,  *交互共重合体 ,  金電極 ,  積層構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  原子間力顕微鏡 ,  小角X線散乱 ,  X線散乱 ,  大角散乱 ,  電流電圧特性 ,  表層構造 ,  依存性 ,  分子配向 ,  キャリア移動度 ,  経時変化 ,  *ポリチオフェン類 ,  分子量依存性 ,  シリコンウエハ ,  WAXS
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  広角X線散乱 ,  *OFET

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (4件)： 2,1,3-ベンゾチアジアゾール ,  フェニルトリエトキシシラン ,  2,6-ジブロモ-4,4-ジヘキサデシル-4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b′]ジチオフェン ,  4,7-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロール-2-イル)-2,1,3-ベンゾチアジアゾール

タイトルに関連する用語 (2件)： 高性能高分子 ,  FET