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J-GLOBAL ID：200902206266825225   整理番号：09A0772065

芳香族SAM(自己集合単分子層)における電子線誘起架橋の分子機構

Molecular Mechanisms of Electron-Induced Cross-Linking in Aromatic SAMs

著者 (7件)： TURCHANIN Andrey (Univ. Bielefeld, DEU) ,  KAEFER Daniel (Ruhr-Univ. Bochum, DEU) ,  EL-DESAWY Mohamed (Univ. Bielefeld, DEU) ,  WOELL Christof (Ruhr-Univ. Bochum, DEU) ,  WITTE Gregor (Ruhr-Univ. Bochum, DEU) ,  WITTE Gregor (Philipps-Univ. Marburg, DEU) ,  GOELZHAEUSER Armin (Univ. Bielefeld, DEU)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 25  号： 13  ページ： 7342-7352  発行年： 2009年07月07日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 芳香族SAMに電子線照射すると分子間架橋が形成され,更に加熱するときSAMは分子厚さを持つカーボンナノシートに変換する。これらナノシートは非常に高い機械的安定性を持ち,1000K以上までの耐性を持つ。本報では,金上の1,1′-ビフェニル-4-チオール(BPT)SAMの電子誘起架橋を,X線光電子分光法,X線吸収分光法,熱脱着分光法,および紫外線光電子分光法を用いて研究した。電子線量および加熱温度による特性変化を調べ,量子化学計算との比較を行った。反応機構の知見を得るため,分子間架橋,架橋膜のミクロ構造,加熱による構造変化を詳細に調べた。室温電子線照射は,C-C結合したフェニル種の形成による横方向架橋と新たな硫黄種をもたらすことが分かった。BPT膜の熱安定性は電子線量とともに増大し,50mC/cm²で飽和した。しかし熱脱着スペクトル中の非結合フラグメントは高電子線量においても不完全な架橋を示し,これは立体障害および消光が部分的に結合した分子のバンドギャップを減少させることによると考えられ,計算したHOMO-LUMOギャップと比較した。800K以上の温度では,全ての硫黄種は熱脱着し,膜は炭化し始めた。

シソーラス用語： *芳香族化合物 ,  *自己組織系 ,  *単分子層 ,  *電子ビーム ,  *放射線架橋 ,  *炭素 ,  *クラスタ分子 ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  構造 ,  安定性 ,  耐熱性 ,  金 ,  X線光電子分光法 ,  X線吸収分光法 ,  熱脱着スペクトル ,  光電子分光法 ,  加熱温度 ,  微細構造 ,  フェニル基 ,  硫黄化合物 ,  フラグメント ,  立体障害 ,  消光 ,  バンドギャップ ,  HOMO ,  LUMO ,  炭化

分類 (2件)： 放射線重合  (CG04060K) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

物質索引 (1件)： 1,1′-ビフェニル-4-チオール

タイトルに関連する用語 (7件)： 芳香族 ,  SAM ,  自己集合単分子層 ,  電子線 ,  誘起 ,  架橋 ,  分子機構