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J-GLOBAL ID：200902206293605962   整理番号：04A0855741

1-オクチル-3-メチルイミダゾリウムビス(ペルフルオロアルキルスルホニル)イミドの薄層被覆電極表面と外部電解質溶液間の界面を横切る電極表面での電子移動とイオン移動の電気的中性カップリング

Electroneutrality Coupling of Electron Transfer at an Electrode Surface and Ion Transfer across the Interface between Thin-layer of 1-Octyl-3-methylimidazolium Bis(perfluoroalkylsulfonyl)imide Covering the Electrode Surface and an Outer Electrolyte Solution

著者 (3件)： TANAKA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHI N (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAKIUCHI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Analytical Sciences  (Analytical Sciences)
巻： 20  号： 11  ページ： 1553-1557  発行年： 2004年11月10日 
JST資料番号： G0673B  ISSN： 0910-6340  CODEN： ANSCEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化単一層修飾金電極で室温融解塩(RTMS),1-オク...

シソーラス用語： *フェロセン誘導体 ,...
準シソーラス用語： イオン性液体

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分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (2件)： 1-オクチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド ,  1-オクチル-3-メチルイミダゾリウムビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)イミド

引用文献 (30件)：

• 1. C. Shi and F. C. Anson, J. Phys. Chem. B, 1998, 102, 9850.
• 2. C. Shi and F. C. Anson, Anal. Chem., 1998, 70, 3114.
• 3. C. Shi and F. C. Anson, J. Phys. Chem. B, 1999, 103, 6283.
• 4. H. O. Shafer, T. L. Derback, and C. A. Koval, J. Phys. Chem. B, 2000, 104, 1025.
• 5. C. Shi and F. C. Anson, J. Phys. Chem. B, 2001, 105, 1047.

タイトルに関連する用語 (11件)： 1-オクチル-3-メチルイミダゾリウム ,  ビス ,  イミド ,  薄層 ,  電極表面 ,  電解質溶液 ,  界面 ,  電子移動 ,  イオン移動 ,  的中 ,  カップリング