文献

J-GLOBAL ID：200902206322827791   整理番号：08A0441923

ClF₃中でのシリコン-ゲルマニウムの高度に選択的なエッチングに基づく新しい犠牲層技術

A NOVEL SACRIFICIAL LAYER TECHNOLOGY BASED ON HIGHLY SELECTIVE ETCHING OF SILICON-GERMANIUM IN CLF3

著者 (5件)： LEINENBACH Christina ,  SEIDEL Helmut ,  FUCHS Tino ,  KRONMUELLER Silvia ,  LAERMER Franz
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 20th Vol.1  ページ： 256-259  発行年： 2007年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコンゲルマニウム(SiGe)を犠牲材料として,ポリシリコンを活性機能層として用いる,MEMSの表面マイクロマシンのための技術を紹介する。ClF₃-ガスを用いる新しい乾式プラズマエッチング技法を応用して,Siに対する極めて高い選択度でSiGeをエッチングできる。実験の結果,ウエハー温度-20°Cと30°Cの間ではSiGeエッチング速度は,温度はウエハー温度には依存しないことを示した。また,圧力が選択度の及ぼす影響,SiGe中のGe濃度が選択度に及ぼす影響についても調べた。これにより,Siに対するSiGeエッチング選択度は極めて高く1000-5000であることが明らかになった。

シソーラス用語： ゲルマニウム化合物 ,  *エッチング ,  材料 ,  選択性 ,  *ケイ化物 ,  ケイ素合金 ,  多結晶 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： *SiGe ,  *犠牲材料 ,  *高選択度 ,  選択度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ゲルマニウム ,  エッチング ,  犠牲層