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J-GLOBAL ID：200902206339223865   整理番号：08A0465138

人工的なナノ構造ピン止めがあるYBa₂Cu₃O_7-x薄膜の磁化クリープおよび減衰

Magnetization creep and decay in YBa₂Cu₃O_7-x thin films with artificial nanostructure pinning

著者 (6件)： SUMPTION M.D. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  HAUGAN T.J. (Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, USA) ,  BARNES P.N. (Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, USA) ,  CAMPBELL T.A. (Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, USA) ,  PIERCE N.A. (Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, USA) ,  VARANASI C. (Univ. Dayton, Ohio, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 77  号： 9  ページ： 094506.1-094506.8  発行年： 2008年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Y₂BaCuO₅(211)析出物を層,あるいはランダムな分布として導入したYBa₂Cu₃O_7-x薄膜の臨界電流と磁束ピン止めを調べた,層は膜厚方向に~6.5nmの間隔であった。臨界電流密度J_cは磁気的に決定した。M-Hを上昇速度の関数として測定し,U(J)-J曲線を4.2-77Kでピン止めされた試料と制御制御に対して求めた。直接磁化減衰を211層ピン止め試料で測定した。U(J)=(U₀/μ)[(J_c/J)^μ-1]B^-νを使って結果を表した。すべての試料でμ=0.6-0.8,νは層ピン止め試料が0.4,ランダムピン止め試料が0.2-0.4であった。活性化エネルギーU₀は層ピン止め試料と制御試料が600-700K,ランダムピン止め試料が400-500Kであった。μとνの値は2次元ピン止め挙動とは合わないが。層ピン止め試料の層間隔は計算した集団相関長より小さかった。層ピン止め試料は集団ピン止め領域にあるが,ランダムピン止め試料の人工欠陥は孤立した強いピン止め領域にあると考えられる。

シソーラス用語： *YBCO薄膜 ,  析出物 ,  レーザ蒸着 ,  高温超伝導体 ,  高温超伝導 ,  *臨界電流密度 ,  *磁束ピン止め ,  活性化エネルギー

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 人工 ,  ナノ構造 ,  ピン止め ,  薄膜 ,  磁化 ,  クリープ ,  減衰