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J-GLOBAL ID：200902206467836250   整理番号：04A0398953

反転層内の遠隔Coulomb散乱による電子移動度の低下に及ぼすゲート誘電膜中の誘電率分布の影響

Influence of Dielectric Constant Distribution in Gate Dielectrics on the Degradation of Electron Mobility by Remote Coulomb Scattering in Inversion Layers.

著者 (3件)： ONO M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ISHIHARA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NISHIYAMA A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 51  号： 5  ページ： 736-740  発行年： 2004年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスサイズ微細化の傾向の中でゲート誘電膜も薄膜化されてき...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 反転層 ,  Coulomb散乱 ,  電子移動度 ,  ゲート ,  誘電膜 ,  誘電率 ,  分布