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J-GLOBAL ID：200902206491719000   整理番号：07A0157810

高κゲート絶縁材料としてのチタン-アルミニウム酸化物の熱安定性と電気特性

Thermal stability and electrical properties of titanium-aluminum oxide ultrathin films as high-k gate dielectric materials

著者 (5件)： SHI L. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China ...) ,  XIA Y. D. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China ...) ,  XU B. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China ...) ,  YIN J. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China ...) ,  LIU Z. G. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 101  号： 3  ページ： 034102-034102-4  発行年： 2007年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用に可能な高κ絶縁材...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： アニール ,...

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分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高 ,  ゲート ,  絶縁材料 ,  チタン ,  アルミニウム酸化物 ,  熱安定性 ,  電気特性