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J-GLOBAL ID：200902206921339363   整理番号：08A0218314

個々の半導性カーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおける1/f雑音の起源

Origins of 1/f noise in individual semiconducting carbon nanotube field-effect transistors

著者 (7件)： TOBIAS David (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  ISHIGAMI Masa (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  TSELEV Alexander (Georgetown Univ., Washington DC, USA) ,  BARBARA Paola (Georgetown Univ., Washington DC, USA) ,  WILLIAMS Ellen D. (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  LOBB Christopher J. (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  FUHRER Michael S. (Univ. Maryland, Maryland, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 77  号： 3  ページ： 033407.1-033407.4  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性カーボンナノチューブ(CNT)電界効果トランジスタの1/f雑音の温度依存性を使って,雑音の原因となるゆらぎ活性化エネルギー分布D(E)を求めた。D(E)は低エネルギーから立ち上がり,特徴的なエネルギースケールはなく,~0.4eVに幅広いピークを見せた。このピークは室温の雑音を大部分が発生する原因になるが,このピークは電子励起,キャリア数ゆらぎ,CNTの構造ゆらぎから生じたものではない。ピークは誘電体やCNT-誘電体界面における欠陥の運動,あるいはCNTあるいは誘電体表面における非常に強く物理吸着した種(結合エネルギーは~0.4eV)から生じたと考えた。

シソーラス用語： 半導性 ,  *カーボンナノチューブ ,  *FET【トランジスタ】 ,  温度依存性 ,  ゆらぎ ,  活性化エネルギー ,  キャリア密度 ,  格子欠陥 ,  物理吸着 ,  *1/f雑音

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導性 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  雑音 ,  起源