パルス性MOCVDによるGaNナノワイヤの制御成長

KIPSHIDZE G; YAVICH B; CHANDOLU A; YUN J; KURYATKOV V; AHMAD I; AURONGZEB D; HOLTZ M; TEMKIN H

文献

J-GLOBAL ID：200902206961536773 整理番号：05A0197031

パルス性MOCVDによるGaNナノワイヤの制御成長

Controlled growth of GaN nanowires by pulsed metalorganic chemical vapor deposition

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資料名：
巻： 86 号： 3 ページ： 033104.1-033104.3 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

蜜結合シャワーヘッド反応器中の低圧(30Torr)MOCVD...

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原子・分子のクラスタ , 半導体の結晶成長

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