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J-GLOBAL ID：200902206978322700   整理番号：09A0002862

任意の基材上の単一-ならびに数層のグラフェンの移行ならびに同定

Transferring and Identification of Single- and Few-Layer Graphene on Arbitrary Substrates

著者 (7件)： REINA Alfonso (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts) ,  SON Hyungbin (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts) ,  JIAO Liying (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FAN Ben (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  DRESSELHAUS Mildred S. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts) ,  LIU ZhongFan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  KONG Jing (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 112  号： 46  ページ： 17741-17744  発行年： 2008年11月20日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子ならびに数層の高配向性熱分解グラファイト(HOPG)シートの,SiO₂/Siの基材上から他種の基材表面への大規模な移行反応について調べた。SiO₂が300nm厚みを有するSiO₂/Siの基材上に,HOPG法によってグラファイトの層を形成させた。このグラフェンはポリメタクリル酸メチル(PMMA)の薄層を用い,それを移行させる方法によって,モルフォロジーの変化や波打ち現象の発生などの問題もなしに,全く異種の基材(例えばSiC)上に移行させることが可能であった。

シソーラス用語： *グラファイト ,  炭素 ,  ケイ素 ,  表面反応 ,  高配向性熱分解グラファイト ,  表面構造 ,  *移動 ,  *グラフェン ,  二酸化ケイ素 ,  *表面波形 ,  構造
準シソーラス用語： シリカ ,  *基材 ,  HOPG ,  表面コルゲーション ,  移行

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  移行 ,  同定