文献

J-GLOBAL ID：200902207004830569   整理番号：08A1094786

GRINレンズ結合上面照射型の高線形InGaAsフォトダイオード

GRIN Lens Coupled Top-Illuminated Highly Linear InGaAs Photodiodes

著者 (3件)： JOSHI Abhay (Discovery Semiconductors, NJ, USA) ,  DATTA Shubhashish (Discovery Semiconductors, NJ, USA) ,  BECKER Don (Discovery Semiconductors, NJ, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 20  号： 17/20  ページ： 1500-1502  発行年： 2008年09月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトダイオード(PD)の線形性は真性領域の電界の空間電荷遮へい効果によって制限され,空間電荷遮へい効果はPD構造,素子寸法,ダイオードバイアスや照射条件などの影響を受ける。ここでは二重空乏領域(DDR)構造とした上面照射型InGaAs PDにおける,グレーデッドインデックス型(GRIN)レンズ結合による線形性増大について報告した。用いたPDは活性領域の直径が50μmのもので,これにGRINレンズを介してコア径9μmの標準単一モードファイバ(SSFM)を結合させた場合と,直接結合の場合とを比較した。GRINレンズ結合による光ビーム成形によって,光強度のピークはSSFM直接結合の場合に比べて44%減少した。3次インターセプトはこの光ビーム成形を通して8dB増大し,GRIN結合型InGaAs PDの3次高調波出力インターセプトポイント(HOIP3)と推定3次出力インタセプトポイント(OIP3)の測定値は,それぞれ54dBmと49.2dBmとなった。また,GRIN結合型PDのdc光電流は,1dB圧縮dc電流の30%に相当する16mAまで高線形性を示した。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  線形性 ,  素子構造 ,  光照射 ,  レンズ ,  屈折率分布 ,  非直線歪 ,  光電流 ,  光結合器 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  受信機 ,  *光通信
準シソーラス用語： GRINレンズ ,  *光受信機

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GRINレンズ ,  線形 ,  InGaAs ,  フォトダイオード