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J-GLOBAL ID：200902207374961255   整理番号：08A0124060

GaNをベースとした高周波電力素子及び増幅器

GaN-Based RF Power Devices and Amplifiers

著者 (4件)： MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA) ,  SHEN Likun (Univ. California, CA, USA) ,  KAZIOR Thomas E. (Raytheon RF Components, MA, USA) ,  WU Yi-Feng (CREE Inc., CA, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 96  号： 2  ページ： 287-305  発行年： 2008年02月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波パワーエレクトロニクスの急速な発展は,高電力密度,高動作電圧,高入力インピーダンスの諸点に対するポテンシャルの面から,広バンドギャップ材料の導入を必要としている。GaNベースの高周波電力素子は過去10年間に著しい発展を遂げた。出力電力密度は30~40W/mmに達し,GaAsより1桁高い。高電力密度は厳密な熱処理を必要とし,より高能率を達成すれば軽減できる。また,同時に200GHz程度のf_T,f_maxを達成して,GaNの応用をmm波以上に応用を広げる事ができる。本論文では,現状で必要なマイクロ波及びミリ波動作特性を達成するためのGaN HEMT素子技術の発展を,GaN層の成長,素子のエピタキシャル構造,及び最近成功したMMIC設計を含めてレビューした。

シソーラス用語： 電力増幅器 ,  *高周波増幅器 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  マイクロ波トランジスタ ,  MMIC ,  トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  *電力トランジスタ ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 禁止帯 ,  ミリ波トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  高周波 ,  電力素子 ,  増幅器