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J-GLOBAL ID：200902207462980596   整理番号：05A0144401

チャージポンピング法によるMOS界面準位密度の測定

著者 (1件)：
三宅雅保

三宅雅保 について

(福山大 工)

福山大 工 について


資料名：
福山大学工学部紀要  (Memoirs of the Faculty of Engineering, Fukuyama University)

福山大学工学部紀要 について


巻： 28  ページ： 9-17  発行年： 2004年12月01日 
JST資料番号： X0293A  ISSN： 0286-858X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高性能のMOS電界効果トランジスタ(MOSFET)の微細加工...
シソーラス用語：
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*MOSFET

MOSFET について

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チャージポンピング法

チャージポンピング法 について

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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チャージ

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ポンピング

ポンピング について

, 
MOS

MOS について

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界面準位密度

界面準位密度 について


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