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J-GLOBAL ID：200902207534310507   整理番号：08A1270219

「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(8)」-照射効果の解明と耐照射材料および新素材開発をめざして-(b)耐照射材料開発 ナノメカニクス接合解析技術とガス冷却高速炉用SiC/W接合部材の開発

著者 (4件)： 柴山環樹 (北大 エネルギー変換マテリアル研究セ) ,  岸本弘立 (京大 エネルギー理工学研) ,  香山晃 (京大 エネルギー理工学研) ,  矢野康英 (日本原子力研究開発機構)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 47  号： 12  ページ： 628  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガス冷却高速炉は700°C以上のガス取出し温度を想定していることからSiC/SiC複合材料が炉心構成材料として期待され,異種材料との接合技術開発が切望されていた。超高圧電子顕微鏡を用い照射下で圧電素子により任意の場所をナノスケールで剪断変形させ亀裂進展をその場観察可能な革新的解析技術であるナノメカニクス接合解析技術を開発した。その解析装置で超高圧電子顕微鏡ホルダに引張・圧縮が可能な圧電素子による駆動機構を組込み,電子線照射を行いながらピラー上に加工したナノインデンタを接合界面に押込み剪断変形させ接合界面の亀裂進展等をその場観察できる。高温高圧で拡散接合したSiC/W接合体の亀裂進展をTEM観察した。SiCとWの接合界面には相互拡散層だけでなく微細な析出物が存在するグラス層が存在し,亀裂進展の経路に注目すると,SiCとWの反応層とWの界面に沿って亀裂が進展していた。

シソーラス用語： FBR型原子炉 ,  ガス冷却型原子炉 ,  *炭化ケイ素 ,  *タングステン ,  接合部 ,  拡散接合 ,  複合材料 ,  圧電素子 ,  電子照射 ,  その場観察 ,  *亀裂伝搬 ,  析出物 ,  原子炉炉心 ,  相互拡散 ,  拡散層 ,  ピン止め ,  剪断変形
準シソーラス用語： ガス冷却高速炉 ,  電子線照射

分類 (3件)： 原子炉炉心・制御系  (MD04020T) ,  ガス冷却型原子炉  (MD03020M) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (12件)： 顕微鏡法 ,  開発 ,  微細構造 ,  研究 ,  照射効果 ,  新素材 ,  材料開発 ,  ナノメカニクス ,  解析 ,  ガス冷却高速炉 ,  SiC ,  接合部材