不揮発性ランダムアクセスメモリへ適用するための強誘電性ふっ化ポリビニリデン重合体膜ゲートをベースにした金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の電気特性

LIM S H; RASTOGI A C; DESU S B

文献

J-GLOBAL ID：200902207535408152 整理番号：04A0874765

不揮発性ランダムアクセスメモリへ適用するための強誘電性ふっ化ポリビニリデン重合体膜ゲートをベースにした金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の電気特性

Electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on ferroelectric polyvinylidene fluoride copolymer film gate for nonvolatile random access memory application

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巻： 96 号： 10 ページ： 5673-5682 発行年： 2004年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強誘電性ふっ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体薄膜と...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体集積回路

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