マンガン添加ひ化インジウムナノ結晶・希薄磁性半導体の合成と特性化

STOWELL C A; WIACEK R J; SAUNDERS A E; KORGEL B A

文献

J-GLOBAL ID：200902207602640103 整理番号：03A0798837

マンガン添加ひ化インジウムナノ結晶・希薄磁性半導体の合成と特性化

Synthesis and Characterization of Dilute Magnetic Semiconductor Manganese-Doped Indium Arsenide Nanocrystals

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巻： 3 号： 10 ページ： 1441-1447 発行年： 2003年10月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機単分子層で不動態化したIII-V型希薄磁性半導体としての...

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原子・分子のクラスタ , その他の無機化合物の磁性

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